模场转换 FA(PM)—LC/UPC

硅光芯片中硅波导的模场直径通常远小于普通单模光纤，如常见的铌酸锂和 SOI 芯片的模斑在 3 - 5um@1310，3um 左右 @1550，而普通单模光纤直径为 9μm，模场转换 FA 可将标准 SM 或 PM 光纤尾纤通过拼接一小段超高数值孔径单模光纤（UHNA），实现与硅光芯片的低损耗耦合，是高速硅光子收发器模块上连接的理想方案。

硅光芯片中硅波导的模场直径通常远小于普通单模光纤，如常见的铌酸锂和 SOI 芯片的模斑在 3 - 5um@1310，3um 左右 @1550，而普通单模光纤直径为 9μm，模场转换 FA 可将标准 SM 或 PM 光纤尾纤通过拼接一小段超高数值孔径单模光纤（UHNA），实现与硅光芯片的低损耗耦合，是高速硅光子收发器模块上连接的理想方案。产品应用：硅光调制解调器、相干光模块。

低插损：

通过特殊熔接放电扩束处理，MFD9.0um转MFD3.2um熔接点损耗＜0.10dB，典型值0.07dB。能实现不同模场直径光纤间的高效耦合，将光信号在模场转换过程中的损耗降到最低。

模场转换定制化：

可根据客户需求提供定制化的模场直径转换，如MFD:9μm 转换到3.2μm/3.5μm/4μm/6.0μm 等，以适应不同的光器件和应用场景。

小体积高精度：

提供高精度定制化产品结构，以2ch FA为例： Core Pitch：250um±0.3um，FA length：3.2±0.1mm、FA width：1.0±0.02mm、FA thickness：±0.05mm。

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